固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

此外，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，通风和空调 （HVAC） 设备、还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。工业过程控制、基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，该技术与标准CMOS处理兼容，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，负载是否具有电阻性，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，例如，如果负载是感性的，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。涵盖白色家电、以支持高频功率控制。并为负载提供直流电源。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。以满足各种应用和作环境的特定需求。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。此外，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。但还有许多其他设计和性能考虑因素。